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《炬丰信息技术-积体电路工艺技术》镜面表层处置和预冲洗的静态
来源:龙8网页登录官网时间:2022-05-11 09:18

  积体电路电子元件的锻造工程已使光电仪器、激光二极管和无线通讯电子设备以及许多其他现代电子设备成为可能将。从罗利、穆尔什涅和穆利斯1947年在麻省理工学院发明电晶体,到约十年后Sheffer和彼得斯推出器件,积体电路电子元件极大地推动了计算和电子工业的产业发展。

  积体电路材料,如硅、锗、矽和赖草,既并非较好的超导体,也并非较好的导体,但它们具有固有的电学性质,因此透过控制杂质的加入,能改变它们的导电性。由于需要锻造微米级和碳纳米管的电子元件,积体电路工业遵循了“这一趋势”,即器件上的电晶体数量约每两年呈指数级增长。锻造那些器件的微小特点是透过对积体电路材料进行磁研磨来实现的材料。磁研磨操作过程在室外进行,在室外液体氧化物被部分电离以造成磁或光放电。磁中的高能阳离子轰击积体电路材料,液体氧化物中的生物化学变化成分与积体电路形成研磨乙醛。这种工艺技术能造成准确的研磨特点,也是缩小电子设备尺寸的主要原因之一,这使得手机和笔记本电脑等技术成为可能将。

  诸如InGaP和InGaAsSb的积体电路对发光电子元件以及通信电子元件和电子电子元件来说是重要的。那些电子元件的锻造是透过磁研磨实现的,在磁研磨中,阳磁化的液体氧化物透过生物化学变化和物理轰击来研磨固相。在用作那些目的的磁研磨中,铟乙醛不易挥发柔性电路板水晶锻造操作。并且通常比其他积体电路材料更难除去。对这个实验,只有现有的芯片在上面的InGaP层上生长的径向GaAs巨厚是可用的。为了产业发展用作InGaP层的电容谐振磁(ICP)研磨工艺技术,顶端GaAs层必须首先被研磨掉以曝露上面的InGaP层。用作做到这一点的常见技术包括特异性氧化铝生物化学研磨,该研磨将在不研磨或损坏InGaP层的情况下去除GaAs层。确认用作去除GaAs层的特异性和研磨速度是生物化学氧化铝研磨产业发展的主要目标。一旦完成,就能创建除去径向GaAs层的“配方”。

  透过液体水溶液中的一连串生物化学变化除去芯片的巨厚。对该研磨工艺技术,h2so 4∶H2O 2∶纯水(除去GaAs的常见水溶液)以1∶8∶640的比例采用。当积体电路浸在电解质系统中以造成Ga2O3和As2O3时,该生物化学反应发生在包括氢氧化铵阳离子氧化生物化学反应的一连串步骤中。那些氧化物溶解在研磨水溶液的酸中,形成可溶性盐。

  采用在顶端具有750 GaAs巨厚、InGaP第二层和GaAs厚基层的芯片样本。那些芯片的层结构如下所示。后面的研磨将采用InGaAsSb芯片。然而,即使铟是最难研磨的层,InGaP是一个好的起点。

  在第一轮研磨操作过程之后,结果是不确认的。似乎氧化铝研磨水溶液没有特异性地研磨芯片。据推测,芯片可能将是倒转的,这意味着研磨的是较厚的GaAs底层,而并非750的顶层。在首轮研磨操作过程中,小心他用截叶器标记每个样本的Hwaseong。在首轮中还采用了控制芯片,其被有目的地翻转Hwaseong准备研磨。在首轮中,还采用了来自每种芯片类型的样本。

  即使研磨水溶液会侵蚀光致抗蚀剂,这能从图3中的负研磨速度和图4中小于750的研磨广度中看出,所以必须剥离芯片上的刻蚀,以量测准确的研磨广度。这是透过在丙酮中搅拌芯片2两分钟,用甲醇冲洗2两分钟,并洗脸来完成的用氮气冲洗芯片。重复该操作过程,直到除去所有的刻蚀。然后用pro- filometer再次量测芯片,以确认实际的研磨速度和广度。获得了可再现的研磨速度,如图2所示。

  首轮研磨操作过程表明,在回归分析找到数据的最佳插值后2018-2023年我国互联网+铝硅,750 GaAs层在H2SO4: H2O2:纯水水溶液中被特异性研磨,平均研磨速度为8.6/s。结果还得出结论,氧化铝研磨停止在InGaP层,即使研磨时间小于除去GaAs层所需的时间仍然导致相同的研磨广度。在图4中,在没有光致抗蚀剂的量测中示出了研磨特异性,其中曲线无腺。此时,所有的GaAs层被研磨掉,留下上面的InGaP层曝露出来。

  用H2SO4: H2O2:纯水的水溶液,以约8.6/s的速度,开发了从上面的InGaP层除去GaAs径向巨厚的特异性氧化铝研磨工艺技术。在未来的工作中,这种研磨将用作制备芯片难以磁研磨的InGaP层,其能透过感应谐振磁(ICP)中的生物化学反应阳离子研磨(RIE)来研磨。最后,对InGaP磁研磨速度的研究将引导对InGaAsSb研磨速度的研究,InGaAsSb是一种用作中红外激光二极管等应用的重要积体电路。


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